IRL2203NSTRLPBF、IRL2203NSTRRPBF、IRL2203NSPBF对比区别

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型号 IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRRPBF IRL2203NSPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 30V 116AINFINEON  IRL2203NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 116 A 116 A -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 170 W 170 W

产品系列 - IRL2203NS -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 116A 116 A 116A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W -

下降时间 66 ns 66 ns 66 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)

额定功率 170 W - 170 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.007 Ω - 7 mΩ

阈值电压 3 V - 3 V

通道数 - - 1

输入电容 - - 3290pF @25V

漏源击穿电压 - - 30 V

长度 6.5 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active End of Life Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free