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1N5518C-1TR、JANS1N6312C、1N5518CE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5518C-1TR JANS1N6312C 1N5518CE3

描述 DO-35 3.3V 0.5W(1/2W)DO-35 3.3V 0.5W(1/2W)DO-35 3.3V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 3.3 V 3.3 V 3.3 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -