CY62128EV30LL-45ZAXI、CY62128EV30LL-45ZAXIT、IS62WV1288BLL-55HLI对比区别

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型号 CY62128EV30LL-45ZAXI CY62128EV30LL-45ZAXIT IS62WV1288BLL-55HLI

描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62128EV30LL-45ZAXI  存储芯片, SRAM, 1M, 并行口, 45NS, TSOP-32CY62128EV30 系列 1 Mb (128 K × 8) 表面贴装 静态 RAM - STSOP-32RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 sTSOP-32 sTSOP-32 STSOP-I

频率 45 GHz - -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 16 mA - 8 mA

针脚数 32 32 -

时钟频率 1 MHz 45.0 GHz -

位数 8 8 8

存取时间 45 ns 45 ns 55 ns

内存容量 125000 B 1000000 B 125000 B

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.2 V 2.2 V 2.5 V

长度 11.9 mm - 8.1 mm

宽度 8.1 mm - 11.9 mm

高度 1.05 mm - 1.05 mm

封装 sTSOP-32 sTSOP-32 STSOP-I

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free PB free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99