IS62WV1288DBLL-45BLI、IS62WV1288DBLL-45QLI、IS62WV1288DBLL-45HLI对比区别

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型号 IS62WV1288DBLL-45BLI IS62WV1288DBLL-45QLI IS62WV1288DBLL-45HLI

描述 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PBGA36, TFBGA-36INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS62WV1288DBLL-45QLI  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 45NS, 32SOPRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

引脚数 36 32 32

封装 BGA SOIC-32 TFSOP-32

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

位数 8 8 8

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(DC) - 2.30V (min) 2.30V (min)

针脚数 - 32 -

存取时间 - 45 ns 45 ns

内存容量 - 125000 B 125000 B

电源电压 - 2.3V ~ 3.6V 2.3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 2.3 V 2.3 V

供电电流 - - 8 mA

封装 BGA SOIC-32 TFSOP-32

长度 - - 18.5 mm

宽度 - - 8.2 mm

高度 - - 1.05 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Each Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 EAR99