BC637RL1G、BC637_D27Z、BC637G对比区别

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型号 BC637RL1G BC637_D27Z BC637G

描述 高电流晶体管 High Current TransistorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-92 T/R高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 1 W 0.625 W

增益频宽积 200 MHz 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

频率 200 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99