BUZ21CHIP、RSD175N10TL、RSD175N10FRATL对比区别

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型号 BUZ21CHIP RSD175N10TL RSD175N10FRATL

描述 19A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 VCPT N-CH 100V 17.5A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

封装 - TO-252-3 CPT

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 17.5A 17.5A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 75 mΩ -

耗散功率 - 20 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

上升时间 - 25 ns -

输入电容(Ciss) - 950pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 20 W -

下降时间 - 50 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 20W (Tc) -

封装 - TO-252-3 CPT

产品生命周期 Obsolete Not For New Designs Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -