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IS63LV1024L-10KLI、W24L011AI-10、CY7C1019D-10VXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63LV1024L-10KLI W24L011AI-10 CY7C1019D-10VXI

描述 静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v128K X 8 High Speed CMOS Static RAMCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1019D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1Mb, 并行口, 10NS, SOJ-32

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 - 32

封装 SOJ-32 SOJ BSOJ-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 160 mA - 80 mA

针脚数 - - 32

位数 8 - 8

存取时间 10 ns - 10 ns

内存容量 1000000 B - 125000 B

存取时间(Max) 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 SOJ-32 SOJ BSOJ-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray - Each

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - 3A991.b.2.b