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JANTX1N3671AR、JANTXV1N3671AR、NTE5887对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N3671AR JANTXV1N3671AR NTE5887

描述 Diode Gen Purp 800V 12A Do203aaDiode Gen Purp 800V 12A Do203aaDiode 800V 12A 2Pin DO-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 功率二极管功率二极管分立器件

基础参数对比

封装 DO-203AA DO-203AA -

正向电压 1.35V @38A 1.35V @38A -

封装 DO-203AA DO-203AA -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

HTS代码 - - 85411000800