CY14B108N-BA25XI、CY14B108N-BA25XIT对比区别

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型号 CY14B108N-BA25XI CY14B108N-BA25XIT

描述 8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）的nvSRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM8兆位（ 1024的K× 512分之8的K× 16 ）的nvSRAM无限的读，写和RECALL周期 8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48

存取时间(Max) 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V

供电电流 75 mA -

针脚数 48 -

耗散功率 1 W -

存取时间 25 ns -

封装 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a