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MT48LC4M32B2B5-7:G、MT48LC4M32B2B5-6A:L、IS42S32400F-7BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT48LC4M32B2B5-7:G MT48LC4M32B2B5-6A:L IS42S32400F-7BLI

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA TrayDRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90 90

封装 VFBGA-90 VFBGA-90 BGA-90

供电电流 175 mA 120 mA 100 mA

位数 32 32 32

存取时间 143 µs 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - - 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 143MHz (max) - -

内存容量 128000000 B - -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90 BGA-90

高度 0.65 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99