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RN2424、UNR211D、BCR583对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN2424 UNR211D BCR583

描述 RN2424 带阻尼PNP三极管 -50V -800mA/0.8A 90 0.2W/200mW SOT-23/SC-59 标记RD 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planar typePNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Panasonic (松下) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

封装 S-Mini Mini3-G1 SOT-23

安装方式 - - Surface Mount

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 800mA 100mA 500mA

封装 S-Mini Mini3-G1 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Unknown End of Life

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free