IPD50R500CEATMA1、IPD50R500CEAUMA1、IPD50R650CE对比区别

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型号 IPD50R500CEATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R650CE

描述 DPAK N-CH 500V 7.6AIPD50R500CEAUMA1 编带Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 57 W 57 W 47W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 7.6A 7.6A 6.1A

上升时间 5 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 433pF @100V(Vds) 433pF @100V(Vds) 342pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 57 W - 47 W

下降时间 12 ns 12 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 57W (Tc) 47W (Tc)

额定功率 57 W - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 450 mΩ 0.45 Ω -

阈值电压 2.5 V 3 V -

漏源击穿电压 500 V - -

针脚数 - 3 -

长度 6.5 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC