MRF6S18140HSR3、MRF6S19140HSR3对比区别
型号 MRF6S18140HSR3 MRF6S19140HSR3
描述 FET RF 68V 1.88GHz NI880S射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 NI-880S NI-880S-3
频率 1.88 GHz 1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电压(DC) - 28.0 V
额定电流 - 10 µA
无卤素状态 - Halogen Free
耗散功率 - 52.8 W
漏源极电压(Vds) - 28.0 V
输出功率 29 W 29 W
增益 16 dB 16 dB
测试电流 1.2 A 1.15 A
工作温度(Max) - 225 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
额定电压 68 V 68 V
长度 - 23.24 mm
宽度 - 13.8 mm
高度 - 5.08 mm
封装 NI-880S NI-880S-3
工作温度 - -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99