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IRFL4105、IRFL4105PBF、IRFL4105TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL4105 IRFL4105PBF IRFL4105TR

描述 SOT-223 N-CH 55V 5.2AINFINEON  IRFL4105PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSOT-223 N-CH 55V 5.2A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 4 3 -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 3.70 A

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 1W (Ta)

产品系列 - - IRFL4105

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 5.2A 5.2A 3.70 A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 12 ns

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)

额定功率 - 2.1 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -