BSO301SPHXUMA1、SI4435DY、SI4425DDY-T1-GE3对比区别

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型号 BSO301SPHXUMA1 SI4435DY SI4425DDY-T1-GE3

描述 INFINEON  BSO301SPHXUMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4435DY.  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 VVISHAY  SI4425DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.015 Ω 0.0081 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.79 W 2.5 W 5.7 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

额定功率 1.79 W - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 12.6A -8.80 A -

上升时间 22 ns 13.5 ns -

输入电容(Ciss) 4430pF @25V(Vds) 1604pF @15V(Vds) -

下降时间 110 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -8.80 A -

输入电容 - 1.60 nF -

栅电荷 - 17.0 nC -

漏源击穿电压 - -150 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.65 mm 1.57 mm -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -