STD5N62K3、STD5NK50Z-1、STU5N52K3对比区别

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型号 STD5N62K3 STD5NK50Z-1 STU5N52K3

描述 STMICROELECTRONICS  STD5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STD5NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V525V,1.2Ω,4.4A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-251-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 1.28 Ω 1.22 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 70 W 70 W

输入电容 - - 545 pF

漏源极电压(Vds) 620 V 500 V 525 V

漏源击穿电压 - 500 V 525 V

连续漏极电流(Ids) - 2.20 A 4.4A

上升时间 8 ns 10 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 680pF @50V(Vds) 535pF @25V(Vds) 545pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 70 W - 70 W

下降时间 21 ns 15 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70000 mW 70W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 2.4 mm -

高度 2.4 mm 6.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99