SST39SF010A-55-4I-NHE、SST39SF010A-70-4I-NHE、SST39SF010A-55-4C-NHE对比区别

高亮显示差异参数

型号 SST39SF010A-55-4I-NHE SST39SF010A-70-4I-NHE SST39SF010A-55-4C-NHE

描述 SST39SF 系列 5.5 V 1 Mb (128K x 8) 55 ns 多用途 闪存 - PLCC-32SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32

供电电流 25 mA 25 mA 25 mA

针脚数 32 32 32

位数 8 8 8

存取时间 55 ns 70 ns 55 ns

存取时间(Max) 55 ns 70 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

电源电压(DC) - 4.50V (min) -

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

内存容量 - 125000 B -

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32

长度 - 14.05 mm -

宽度 - 11.51 mm -

高度 - 2.84 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a 3A991.a.2

HTS代码 - 8542320051 -