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JAN1N6126、JANTX1N6126、1N6126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6126 JANTX1N6126 1N6126

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSESD Suppressors / TVS Diodes T MET BI 500W 68V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 B B Axial

钳位电压 - 97.1 V 98 V

最大反向电压(Vrrm) 51.7V 51.7V -

测试电流 - 20 mA -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 61.37 V 61.37 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

额定功率 - - 500 W

击穿电压 - - 61.2 V

耗散功率 - - 500 W

封装 B B Axial

长度 - - 4.7 mm

宽度 - - 3.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free