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IKW50N60H3FKSA1、NGTB45N60S2WG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IKW50N60H3FKSA1 NGTB45N60S2WG

描述 INFINEON  IKW50N60H3FKSA1  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚ON SEMICONDUCTOR  NGTB45N60S2WG  单晶体管, IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3

耗散功率 333 W 300 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 130 ns 498 ns

额定功率(Max) 333 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 333000 mW 300 W

长度 16.13 mm 16.25 mm

宽度 5.21 mm 5.3 mm

高度 21.1 mm 21.4 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99