SIHP24N65E-E3、SIHP24N65E-GE3对比区别
型号 SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-GE3
描述 VISHAY SIHP24N65E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.12 Ω 0.12 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 250 W
阈值电压 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
上升时间 84 ns 84 ns
输入电容(Ciss) - 2740pF @100V(Vds)
下降时间 69 ns 69 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 250 W
通道数 1 -
漏源击穿电压 650 V -
长度 10.41 mm 10.51 mm
宽度 4.7 mm 4.65 mm
高度 15.49 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free