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R1LV0208BSA-5SI#S0、R1LV0208BSA-5SI#B0、CY62138FV30LL-45ZAXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LV0208BSA-5SI#S0 R1LV0208BSA-5SI#B0 CY62138FV30LL-45ZAXI

描述 SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP T/RSRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 TSOP-32 TSOP-32 TFSOP-32

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

位数 8 8 8

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

供电电流 - 25 mA -

时钟频率 - 1 MHz 1 MHz

存取时间 - 55 ns 45 ns

针脚数 - - 32

内存容量 - - 250000 B

封装 TSOP-32 TSOP-32 TFSOP-32

长度 - 11.9 mm 11.9 mm

宽度 - 8.1 mm 8.1 mm

高度 - 1 mm 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a