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P4KE11C、P4KE11C-B、P4KE11CAU02对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P4KE11C P4KE11C-B P4KE11CAU02

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 9.4Vso 10.5VbrESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE AXIAL LEADTrans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) Littelfuse (力特) Rectron Semiconductor

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-41-2 DO-41-2 -

额定电压(DC) 11.0 V - -

工作电压 9.4 V 9.4 V -

额定功率 400 W - -

击穿电压 11 V 11 V -

耗散功率 400 W 400 W -

钳位电压 15.6 V 16.38 V -

脉冲峰值功率 400 W 400 W -

最小反向击穿电压 9.95 V 9.95 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 5.20 mm - -

直径 2.70 mm - -

封装 DO-41-2 DO-41-2 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -