RFP12N10L、RFP15N05L、FQPF19N20对比区别

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型号 RFP12N10L RFP15N05L FQPF19N20

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP12N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 15A, 50V and 60V, 0.140 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF19N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 50.0 V 200 V

额定电流 12.0 A 15.0 A 19.4 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 200 mΩ 140 mΩ 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60W (Tc) 50 W

阈值电压 2 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 50 V 200 V

漏源击穿电压 100 V 50.0 V 200 V

栅源击穿电压 ±10.0 V ±10.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 15.0 A 11.8 A

上升时间 70 ns - 190 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W - 50 W

下降时间 80 ns - 80 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60W (Tc) 50W (Tc)

额定功率 60 W - -

长度 10.67 mm - 10.36 mm

宽度 4.83 mm - 4.9 mm

高度 9.4 mm - 16.07 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99