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IRFIZ48N、IRFIZ48NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFIZ48N IRFIZ48NPBF

描述 TO-220FP N-CH 55V 36ATO-220AB 整包

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 42 W

漏源极电阻 - 0.016 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 42W (Tc) 42 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 36A 36A

上升时间 78 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 54W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17