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1N4117、JAN1N4117、JANTXV1N4117-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4117 JAN1N4117 JANTXV1N4117-1

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-204AH

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.1V @200mA

耗散功率 - 500 mW 480 mW

测试电流 0.25 mA - 0.25 mA

稳压值 25 V 25 V 25 V

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

长度 - - 5.08 mm

封装 DO-35 DO-35 DO-204AH

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - -