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1N755ARR1G、JANTX1N755A-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N755ARR1G JANTX1N755A-1

描述 DO-35 7.5V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35

引脚数 - 2

耗散功率 500 mW 500 mW

稳压值 7.5 V 7.5 V

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1 V

测试电流 - 20 mA

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 - Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - Yes

ECCN代码 - EAR99