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CY62128EV30LL-55SXE、CY62138FLL-45SXI、CY7C199D-10ZXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62128EV30LL-55SXE CY62138FLL-45SXI CY7C199D-10ZXIT

描述 静态随机存取存储器 1Mb 3V 55ns 128K x 8 LP 静态随机存取存储器CY62138F 2 Mb (256 K x 8) 4.5 - 5.5 V 45 ns 静态RAM - SOIC-32CY7C199D 系列 256 Kb (32 K x 8) 5 V 10 ns 静态RAM - TSOP-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 32 32 28

封装 SOIC-32 SOIC-32 TSOP-28

供电电流 - 13 mA -

位数 - 8 8

存取时间 55 ns 45 ns 10 ns

存取时间(Max) 55 ns 45 ns 10 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SOIC-32 SOIC-32 TSOP-28

高度 2.82 mm - 1.02 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a EAR99