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SI5473DC-T1-GE3、SI5475DDC-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI5473DC-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3

描述 MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5VMOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 1206 SMD-8

耗散功率 1.3W (Ta) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

输入电容(Ciss) - 1600pF @6V(Vds)

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)

封装 1206 SMD-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free