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IS43R16160F-5BLI、IS43R16160F-5BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R16160F-5BLI IS43R16160F-5BLI-TR

描述 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

引脚数 60 -

存取时间 700 ps 700 ps

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V

供电电流 200 mA -

位数 16 -

存取时间(Max) 0.7 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 -