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STD20NF20、STD25NF20、IRFR13N20D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD20NF20 STD25NF20 IRFR13N20D

描述 STMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3Pin(2+Tab) DPAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 18.0 A - 13.0 A

耗散功率 90 W 110 W 110 W

产品系列 - - IRFR13N20D

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 13.0 A

上升时间 30 ns 30 ns 27.0 ns

输入电容(Ciss) 940pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 110 W 110 W

额定功率 110 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.125 Ω 0.1 Ω -

极性 N-Channel - -

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 940 pF 940 pF -

栅电荷 28.0 nC - -

漏源击穿电压 200 V - -

正向电压(Max) 1.6 V - -

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -