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STB24N65M2、TK17J65U、STP24N65M2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB24N65M2 TK17J65U STP24N65M2

描述 D2PAK N-CH 650V 16ATO-3PN N-CH 650V 17AN-沟道 650 V 0.23 Ω 150 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.23 Ω - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 150 W - 150 W

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 16A 17A 16A

上升时间 9.5 ns - 9.5 ns

输入电容(Ciss) 1060pF @100V(Vds) - 1060pF @100V(Vds)

下降时间 25.5 ns - 25.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) - 150W (Tc)

输入电容 - - 1060 pF

封装 TO-252-3 TO-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99