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IXSX40N60CD1、IXSX50N60BD1、IXSX40N60BD1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXSX40N60CD1 IXSX50N60BD1 IXSX40N60BD1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 35 ns 35 ns 35 ns

额定功率(Max) 280 W 300 W 280 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

长度 16.13 mm 16.13 mm 16.13 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm

高度 21.34 mm 21.34 mm 21.34 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free