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1N5811、YG801C09R、JANTX1N5811对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5811 YG801C09R JANTX1N5811

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 6A, 150V V(RRM), SiliconSCHOTTKY BARRIER DIODERectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon,

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices FUJI (富士电机) General Instrument

分类

基础参数对比

封装 - TO-220 -

封装 - TO-220 -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete