STP2NK60Z、STP5NK100Z、STD15NF10T4对比区别

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型号 STP2NK60Z STP5NK100Z STD15NF10T4

描述 齐纳保护超网MOSFET Zener-Protected SuperMESH MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V 1.00 kV 100 V

额定电流 1.40 A 3.50 A 23.0 A

额定功率 - 125 W -

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 8 Ω 3.7 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 125 W 70 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 1 kV 100 V

漏源击穿电压 600 V 1.00 kV 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.40 A 3.50 A 23.0 A

上升时间 30 ns 7.7 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 170pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 125 W 70 W

下降时间 55 ns 19 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 125W (Tc) 70W (Tc)

长度 10.4 mm 10.4 mm 6.6 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 6.2 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 2.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99