NGTB25N120IHLWG、STGW30NC120HD、IRG7PH35UDPBF对比区别

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型号 NGTB25N120IHLWG STGW30NC120HD IRG7PH35UDPBF

描述 ON SEMICONDUCTOR  NGTB25N120IHLWG  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW30NC120HD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚INFINEON  IRG7PH35UDPBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - - 180 W

针脚数 3 3 3

耗散功率 192 W 220 W 180 W

产品系列 - - IRG7PH35UD

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 1200 V

反向恢复时间 - 152 ns 105 ns

额定功率(Max) 192 W 220 W 180 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 192 W 220000 mW 180 W

额定电压(DC) - 1.20 kV -

额定电流 - 30.0 A -

极性 - N-Channel -

上升时间 - 11.0 ns -

长度 16.26 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.31 mm

高度 21.08 mm 20.15 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99