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BZV85-C3V6、BZV85-C3V6,113对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C3V6 BZV85-C3V6,113

描述 Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41DO-41 3.6V 1.3W

数据手册 --

制造商 Continental Device NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 2

封装 - DO-41

容差 - ±5 %

正向电压 - 1V @50mA

耗散功率 - 1.3 W

测试电流 - 60 mA

稳压值 - 3.6 V

正向电压(Max) - 1V @50mA

额定功率(Max) - 1.3 W

耗散功率(Max) - 1300 mW

封装 - DO-41

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

温度系数 - -2.25 mV/K

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free