IRFS23N20DTRRP、IRFS31N20DTRRP、IRFS31N20DPBF对比区别

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型号 IRFS23N20DTRRP IRFS31N20DTRRP IRFS31N20DPBF

描述 D2PAK N-CH 200V 24AD2PAK N-CH 200V 31AN 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 82 mΩ 0.082 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 170 W 200 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) 24A 31A 31A

上升时间 32 ns 38 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 21 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc)

额定功率 - - 200 W

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 5.5 V

额定功率(Max) - - 3.1 W

长度 6.5 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17