SI4943CDY-T1-GE3、SI4963BDY-T1-E3、SI4943BDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4943CDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4943CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 VVISHAY  SI4963BDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 VTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0275 Ω 0.025 Ω 0.019 Ω

极性 Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 3.1 W 1.1 W 1.1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

漏源极电压(Vds) - -20.0 V -20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.50 A -8.40 A

热阻 - 91℃/W (RθJA) -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1100 mW -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm 1.55 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -50℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -