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IDT6116LA45TPG、IDT6116SA45TPGI、6116LA25TPG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA45TPG IDT6116SA45TPGI 6116LA25TPG

描述 IC SRAM 16Kbit 45NS 24DIPIC SRAM 16Kbit 45NS 24DIP静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

存取时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 - - 31.75 mm

宽度 - - 7.62 mm

高度 - - 3.3 mm

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

厚度 - - 3.30 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube, Rail Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -