NSBC144WDXV6T1G、RN1909FE(TE85L,F)对比区别

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型号 NSBC144WDXV6T1G RN1909FE(TE85L,F)

描述 SOT-563 NPN 50V 100mAES NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 -

封装 SOT-563 ES-6

极性 NPN NPN

耗散功率 0.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 70 @10mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 100 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW -

封装 SOT-563 ES-6

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -