锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AUIRF3205ZSTRL、AUIRF3205ZSTRR、IRF3205ZSTRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRR IRF3205ZSTRRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 110AD2PAK N-CH 55V 110A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 170 W 170 W 170W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A

上升时间 95 ns 95 ns -

下降时间 67 ns 67 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0049 Ω - -

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) - 3450pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 170W (Tc) - 170W (Tc)

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.65 mm 9.25 mm 9.65 mm

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)