FDS6690AS、IRF8707TRPBF、IRF8707GTRPBF对比区别

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型号 FDS6690AS IRF8707TRPBF IRF8707GTRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON  IRF8707TRPBF  场效应管, MOSFETINFINEON  IRF8707GTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.01 Ω 17.5 mΩ 0.0093 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1.6 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11.0 A 11A

上升时间 5 ns 7.9 ns 7.9 ns

输入电容(Ciss) 910pF @15V(Vds) 760pF @15V(Vds) 760pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 6 ns 4.4 ns 4.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 10.0 A - -

输入电容 910 pF 760 pF -

栅电荷 16.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

通道数 - 1 -

产品系列 - IRF8707 -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -