IPB050N06NGATMA1、NP89N055PUK-E1-AY、IPD048N06L3G对比区别

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型号 IPB050N06NGATMA1 NP89N055PUK-E1-AY IPD048N06L3G

描述 D2PAK N-CH 60V 100AMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-2 TO-263-3 TO-252

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 90A -

上升时间 - 10 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 6100pF @30V(Vds) 6000pF @25V(Vds) -

下降时间 - 6 ns 12 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) -

封装 TO-263-2 TO-263-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -