GS8672Q18BGE-250、IS61QDB24M18-250M3L、CY7C1512KV18-250BZC对比区别

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型号 GS8672Q18BGE-250 IS61QDB24M18-250M3L CY7C1512KV18-250BZC

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72MDDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, LFBGA-16572m 同步 sram qdr ii+ 2 字 突发 250 MHz fbga封装 仅含铅

数据手册 ---

制造商 GSI Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

安装方式 - - Surface Mount

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

位数 - 18 18

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

时钟频率 - - 250 MHz

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a