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1N5621US、EGL41F-E3/97、SGL41-30-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5621US EGL41F-E3/97 SGL41-30-E3

描述 Diode Fast Recovery Rectifier 800V 1A 2Pin MELF-1Diode Switching 300V 1A 2Pin DO-213AB T/RDIODE 1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC, MELF-2, Signal Diode

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管

基础参数对比

封装 - DO-213AB DO-213AB

安装方式 - Surface Mount -

封装 - DO-213AB DO-213AB

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 2.67 mm -

高度 - 2.67 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

正向电压 - 1.25V @1A -

反向恢复时间 - 50 ns -

正向电流 - 1 A -

正向电压(Max) - 1.25V @1A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -