BSZ165N04NSG、BSZ165N04NSGATMA1对比区别

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型号 BSZ165N04NSG BSZ165N04NSGATMA1

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-TransistorINFINEON  BSZ165N04NSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 - PG-TSDSON

额定功率 - 50 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0138 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 25.0 W 25 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 8.9A

上升时间 1 ns 1 ns

输入电容(Ciss) - 630pF @20V(Vds)

下降时间 2.2 ns 2.2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2100 mW

长度 - 3.3 mm

宽度 - 3.3 mm

高度 - 1.1 mm

封装 - PG-TSDSON

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17