MAP6KE82A、MAP6KE82AE3、P6KE82A-E3对比区别

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型号 MAP6KE82A MAP6KE82AE3 P6KE82A-E3

描述 70.1V 600W70.1V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

最大反向电压（Vrrm） 70.1V 70.1V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 77.9 V 77.9 V -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -