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BZV85-C56、BZX85C56-TAP、1N4758A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C56 BZX85C56-TAP 1N4758A

描述 齐纳二极管 1.3W,BZV85 系列,Nexperia### 齐纳二极管,NexperiaVISHAY  BZX85C56-TAP  齐纳二极管, 1.3W, 56V, DO-41广颖电通Z-二极管 Silicon Power Z-Diodes

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-41 DO-41 DO-41

引脚数 2 2 -

耗散功率 - 1.3 W 1.00 W

测试电流 4 mA - -

稳压值 56 V 56 V -

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1300 mW - -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 1.3 W -

击穿电压 - 56 V -

针脚数 - 2 -

额定功率(Max) - 1.3 W -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 4.8 mm - -

宽度 2.6 mm - -

高度 2.6 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

温度系数 54.9 mV/℃ - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -