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IRFR3710ZTRLPBF、IRFR3710ZTRPBF、IRFR3418TRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF IRFR3418TRLPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 80V 70A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 140 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.015 Ω 0.015 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 140 W 3.8W (Ta), 140W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 2930 pF 2930 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 56A 56A 70A

上升时间 43 ns 43 ns -

输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds) 3510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 140 W -

下降时间 42 ns 42 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc)

通道数 1 - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -