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MRF8S9220HR3、MRF8S9220HSR3、MRF8S9260HR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3 MRF8S9260HR3

描述 Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 65W Avg., 28VRF Power Transistor,920 to 960MHz, 220W, Typ Gain in dB is 19.4 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1793Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 75W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Surface Mount Screw

引脚数 3 3 3

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-880

频率 960 MHz 960 MHz 960 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 65 W 65 W 75 W

增益 19.4 dB 19.4 dB 18.6 dB

测试电流 1.6 A 1.6 A 1.7 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 70 V 70 V 70 V

电源电压 - 28 V -

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-880

高度 4.32 mm - 5.08 mm

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -